对比图
型号 IXTP5N50P IXTY5N50P IRFW830BTM
描述 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(2+Tab) TO-252AATrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-252-3 D2PAK
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 1.4 Ω 1.50 Ω
耗散功率 89W (Tc) 89 W 3.13 W
阈值电压 - 5.5 V -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
上升时间 26 ns 26 ns -
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) -
下降时间 24 ns 24 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc) -
极性 - - N-Channel
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.80 A - 4.50 A
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 5.00 A - -
输入电容 620 pF - -
栅电荷 12.6 nC - -
长度 - 6.22 mm -
宽度 - 6.73 mm -
高度 - 2.38 mm -
封装 TO-220-3 TO-252-3 D2PAK
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - - EAR99