IXTP5N50P和IXTY5N50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP5N50P IXTY5N50P IRFW830BTM

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin(2+Tab) TO-252AATrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-252-3 D2PAK

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 1.4 Ω 1.50 Ω

耗散功率 89W (Tc) 89 W 3.13 W

阈值电压 - 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

上升时间 26 ns 26 ns -

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) -

下降时间 24 ns 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 89W (Tc) 89W (Tc) -

极性 - - N-Channel

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.80 A - 4.50 A

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 5.00 A - -

输入电容 620 pF - -

栅电荷 12.6 nC - -

长度 - 6.22 mm -

宽度 - 6.73 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-220-3 TO-252-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99

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