2N3791和JAN2N3791

对比图

型号 2N3791 JAN2N3791 2N3789

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-204 TO-3 TO-3-2

耗散功率 5000 mW - 150 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @3A, 2V 25

额定功率(Max) - 5 W -

封装 TO-204 TO-3 TO-3-2

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Sleeve

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -