对比图
描述 20 V ， 5.8 NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 20 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistorNXP PBSS302NZ,135 单晶体管 双极, NPN, 20 V, 140 MHz, 700 mW, 5.8 A, 570 hFE
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
封装 SC-73 TO-261-4
频率 - 140 MHz
针脚数 - 4
极性 NPN NPN
耗散功率 - 700 mW
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V
集电极最大允许电流 5.8A 5.8A
最小电流放大倍数(hFE) - 250 @2A, 2V
额定功率(Max) - 2 W
直流电流增益(hFE) - 570
工作温度(Max) - 150 ℃
封装 SC-73 TO-261-4
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17