对比图
型号 IXTQ18N60P IXTV18N60P IXTV18N60PS
描述 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) TO-3PTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 600V 18A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-3-3 TO-220-3 PLUS-220SMD
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 18.0 A 18.0 A 18.0 A
耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
输入电容 2.50 nF 2.50 nF 2.50 nF
栅电荷 49.0 nC 49.0 nC 49.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
上升时间 22 ns - -
下降时间 22 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-3-3 TO-220-3 PLUS-220SMD
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free