对比图
型号 IXTA18P10T IXTY18P10T IXTP18P10T
描述 Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3Pin(2+Tab) TO-263AAP沟道 100V 18ATO-220AB P-CH 100V 18A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3
耗散功率 83W (Tc) 83000 mW 83 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
上升时间 26 ns 26 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 2100pF @25V(Vds) 2100pF @25V(Vds) 2100pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 22 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
极性 - - P-CH
连续漏极电流(Ids) - - 18A
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free