BC857CT-7-F和BC857CWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857CT-7-F BC857CWT1G BC857CT,115

描述 BC857CT-7-F 编带PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管NXP  BC857CT,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-523-3 SC-70-3 SOT-416

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) - -45.0 V -

额定电流 - -100 mA -

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) 520 420 420

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -50 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW

增益频宽积 100 MHz - -

长度 1.6 mm 2.2 mm -

宽度 0.8 mm 1.35 mm -

高度 0.75 mm 0.9 mm -

封装 SOT-523-3 SC-70-3 SOT-416

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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