对比图
型号 IPI65R600C6XKSA1 SPI07N65C3XKSA1 IPI60R520CPAKSA1
描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R600C6XKSA1, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装TO-262 N-CH 650V 7.3ATO-262 N-CH 600V 6.8A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 I2PAK-3 TO-262-3
极性 N-CH N-CH N-CH
阈值电压 - 3 V -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 7.3A 7.3A 6.8A
额定功率 63 W - -
耗散功率 63W (Tc) - 66W (Tc)
上升时间 9 ns - 12 ns
输入电容(Ciss) 440pF @100V(Vds) - 630pF @100V(Vds)
下降时间 13 ns - 16 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) - 66W (Tc)
封装 TO-262-3 I2PAK-3 TO-262-3
长度 10.36 mm - -
宽度 4.52 mm - -
高度 9.45 mm - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)