LMV722ID和LMV722M

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV722ID LMV722M LMV822AIDT

描述 Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  LMV722M  运算放大器, 双路, 10 MHz, 2个放大器, 5.25 V/µs, 2.2V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  LMV822AIDT  运算放大器, 双路, 5.5 MHz, 2个放大器, 1.9 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 5.00 V -

输出电流 52.6mA @5V 24.0 mA 70mA @5V

供电电流 2.01 mA 2.01 mA 300 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 80 dB 70 dB 72 dB

输入补偿漂移 600 nV/K 600 nV/K -

带宽 10 MHz 10 MHz 5.5 MHz

转换速率 5.25 V/μs 5.25 V/μs 1.90 V/μs

增益频宽积 10 MHz 10 MHz 5.5 MHz

输入补偿电压 80 µV 80 µV 0.8 mV

输入偏置电流 260 nA 260 nA 0.06μA @5V

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 10 MHz 10 MHz 5.5 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB 70 dB 72 dB

电源电压 2.2V ~ 5V 2.2V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 2.5 V

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 3.2 mm

宽度 4 mm - 3.1 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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