VRF152和BLF177,112

对比图

型号 VRF152 BLF177,112

描述 MICROSEMI  VRF152  射频场效应管, 130V, M174RF Power Transistor, 0.005 to 0.03GHz, 150W, 20dB, 50V, VDMOS, SOT-121B

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

安装方式 Screw -

引脚数 4 4

封装 M-174 SOT-121

频率 175 MHz 108 MHz

额定电流 20 A -

耗散功率 300 W 220000 mW

阈值电压 3.6 V -

漏源极电压(Vds) 130 V -

漏源击穿电压 130 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A -

输出功率 150 W 150 W

增益 22 dB 19 dB

测试电流 250 mA 700 mA

输入电容(Ciss) 383pF @50V(Vds) 480pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300000 mW 220000 mW

额定电压 130 V 125 V

电源电压 - 50 V

封装 M-174 SOT-121

材质 Silicon Silicon

工作温度 65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Box -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -