BLF6G22LS-100,112和BLF6G22LS-100,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G22LS-100,112 BLF6G22LS-100,118 F2022

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/RTRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FET RF Power

数据手册 ---

制造商 Ampleon USA Ampleon USA NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 3 3 -

封装 SOT-502 SOT-502 -

安装方式 Surface Mount - -

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz 2.11GHz ~ 2.17GHz -

额定电流 29 A 29 A -

输出功率 25 W 25 W -

增益 18.2 dB 18.2 dB -

测试电流 950 mA 950 mA -

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

额定电压 65 V 65 V -

封装 SOT-502 SOT-502 -

高度 4.72 mm - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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