MR820和GI820-E3/54

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MR820 GI820-E3/54 BY550-50

描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-27,Diode Switching 50V 5A 2Pin Case P-600 T/RSILICON RECTIFIER DIODES

数据手册 ---

制造商 Galaxy Semi-Conductor Vishay Semiconductor (威世) EIC

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

封装 - P600, Axial DO-201AD

引脚数 - - 2

电容 - 300 pF -

输出电流 - ≤5.00 A -

正向电压 - 1.1V @5A -

极性 - Standard -

反向恢复时间 - 200 ns -

正向电压(Max) - 1.1V @5A -

正向电流(Max) - - 5 A

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 - P600, Axial DO-201AD

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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