对比图
型号 IRFR9020TRPBF IRFR9024NPBF IRFR9020PBF
描述 VISHAY IRFR9020TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.9 A, -50 V, 0.2 ohm, -10 V, -4 VP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。VISHAY IRFR9020PBF 场效应管, MOSFET, P沟道, D-PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 0.175 Ω 0.28 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 42 W 38 W 42 W
漏源极电压(Vds) -50.0 V 55 V 50 V
连续漏极电流(Ids) -9.90 A 11A -9.90 A
上升时间 57 ns 55 ns 57 ns
下降时间 25 ns 37 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 42 W 38W (Tc) -
额定功率 - 38 W -
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 350 pF -
反向恢复时间 - 47 ns -
正向电压(Max) - 1.6 V -
输入电容(Ciss) - 350pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 38 W -
工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.38 mm 2.39 mm -
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -