PD57060S-E和PD57060TR-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD57060S-E PD57060TR-E PD57060STR-E

描述 60W,28V,0.945GHz,射频LDMOS晶体管RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

耗散功率 79 W 79000 mW 79000 mW

输出功率 60 W 60 W 60 W

增益 14.3 dB 14.3 dB 14.3 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 83pF @28V(Vds) 83pF @28V(Vds) 83pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 79000 mW 79000 mW 79000 mW

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 7 A - -

针脚数 3 - -

漏源极电压(Vds) 65 V - -

漏源击穿电压 65 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 7.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

高度 3.5 mm - 3.5 mm

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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