对比图
型号 2DB1386R-13 FJC1386RTF
描述 Trans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/RPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
数据手册 --
制造商 Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 -
封装 SOT-89-3 SOT-89-3
频率 100 MHz -
额定功率 1 W -
极性 PNP PNP
耗散功率 1 W 500 mW
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V
集电极最大允许电流 5A 5A
最小电流放大倍数(hFE) 180 @500mA, 2V 180 @500mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 180 @0.5A, 2V 390
额定功率(Max) 1 W 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW -
额定电压(DC) - -20.0 V
额定电流 - -5.00 A
宽度 2.48 mm 2.7 mm
封装 SOT-89-3 SOT-89-3
长度 - 4.7 mm
高度 - 1.7 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 - EAR99