CBR06C689BAGAC和GQM1875C2E6R8BB12D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR06C689BAGAC GQM1875C2E6R8BB12D

描述 射频电容, C0G / NP0, 6.8 pF, 250 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0603 [1608公制]0603 250 V 6.8 pF C0G ±0.1 pF 容差 多层陶瓷电容

数据手册 --

制造商 KEMET Corporation (基美) muRata (村田)

分类 电容陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装(公制) 1608 1608

封装 0603 0603

电容 6.8 PF 6.8 pF

容差 ±0.1 pF ±0.1 pF

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

额定电压 250 V 250 V

额定电压(DC) - 250 V

电介质特性 - C0G/NP0

产品系列 - GQM

长度 1.60 mm 1.60 mm

宽度 0.80 mm 800 µm

高度 0.8 mm 0.7 mm

封装(公制) 1608 1608

封装 0603 0603

厚度 - 700 µm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

材质 - C0G/-55℃~+125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 4000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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