JANTX1N5540D-1和JANTXV1N5540D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5540D-1 JANTXV1N5540D-1 JAN1N5540D-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 20V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-204AH DO-204AH -

容差 ±1 % ±1 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 20 V 20 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 DO-204AH DO-204AH -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 -

含铅标准 -

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