BD436G和BD441STU

对比图

型号 BD436G BD441STU 2N5884

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTrans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailNTE ELECTRONICS 2N5884 TRANSISTOR PNP SILICON 80V, IC-25A TO-3 CASE HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS COMP TO 2N5886

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管分立器件

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-225 TO-126-3 -

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 4.00 A -

极性 PNP NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 80 V -

集电极最大允许电流 4A 4A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @500mA, 1V -

额定功率(Max) - 36 W -

耗散功率(Max) - 36 W -

封装 TO-225 TO-126-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -