70V3569S5BCI8和IDT70V3569S5BC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V3569S5BCI8 IDT70V3569S5BC 70V3569S4BFG

描述 静态随机存取存储器 16K X 36 SYNCH DPRAM高速3.3V 16K ×36同步流水式双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEDual-Port SRAM, 16KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 - 208

封装 LBGA-256 BGA-256 LFBGA-208

安装方式 - Surface Mount -

存取时间 5 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

长度 17 mm - 15.0 mm

宽度 17 mm - 15.0 mm

高度 1.4 mm - -

封装 LBGA-256 BGA-256 LFBGA-208

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tube, Rail

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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