对比图
型号 FDD86102 IPD25CN10NGATMA1 PSMN025-100D,118
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。DPAK N-CH 100V 35ANXP PSMN025-100D,118 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
漏源极电阻 0.019 Ω 0.019 Ω 0.022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 62 W 71 W 150 W
阈值电压 3.1 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8A 35A 47.0 A
上升时间 3 ns 4 ns 72 ns
输入电容(Ciss) 1035pF @50V(Vds) 2070pF @50V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 71 W 150 W
下降时间 2.9 ns 3 ns 58 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62 W 71W (Tc) 150W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC