对比图
型号 BSM300GAL120DLC BSM300GAR120DLC FD150R12RT4
描述 Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 625A 7Pin 62MMIGBT Transistors 1200V 300A DUALINFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw - Screw
引脚数 - - 5
封装 62 mm IS6a ( 62 mm )-5 -
额定功率 - - 790 W
针脚数 - - 5
极性 - - N-Channel
耗散功率 2500 W 2500 W 790 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V
输入电容(Cies) - - 9.3nF @25V
额定功率(Max) - - 790 W
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃
封装 62 mm IS6a ( 62 mm )-5 -
长度 106.4 mm 106.4 mm -
宽度 61.4 mm 61.4 mm -
高度 30.5 mm 30.9 mm -
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17