对比图
型号 IRFZ48VS IRFZ48VSPBF IRFZ48VSTRRPBF
描述 D2PAK N-CH 60V 72AN 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 TO-263-3 D2PAK-263 -
额定功率 - 150 W -
漏源极电阻 - 0.012 Ω -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 150W (Tc) 150 W -
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 72.0 A 72A -
输入电容(Ciss) 1985pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds) -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150 W -
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 60.0 A - -
产品系列 IRFZ48VS - -
漏源击穿电压 60.0V (min) - -
上升时间 200 ns - -
额定功率(Max) 150 W - -
下降时间 166 ns - -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
封装 TO-263-3 D2PAK-263 -
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -