MPSA63RLRAG和MPSA63RLRMG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA63RLRAG MPSA63RLRMG MPSA63

描述 达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP Silicon达林顿晶体管PNP硅 Darlington Transistors PNP SiliconMPSA63 Series PNP 30V 1.2A Through Hole Darlington Transistor - TO-92-3

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -500 mA -500 mA -

极性 PNP PNP -

耗散功率 625 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 20 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 125MHz (Min) - -

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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