CPH3313和FDN359BN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CPH3313 FDN359BN BS170

描述 CPH3313 P沟道MOS场效应管 -20V -1.6A 0.180ohm SOT-23 marking/标记 JN 超高速开关 2.5V驱动ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装t- Mosfet n Chan Enhan

数据手册 ---

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 MOS管分立器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 2.92 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 0.94 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - 无铅 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.026 Ω -

耗散功率 - 0.5 W -

阈值电压 - 1.8 V -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

上升时间 - 5 ns -

输入电容(Ciss) - 650pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 460 mW -

下降时间 - 2 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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