24LC32A-I/ST和M24C32-WDW6TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 24LC32A-I/ST M24C32-WDW6TP BR24L32FVT-WE2

描述 24AA32A/24LC32A I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA32A/24LC32A 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA32A 设备)、2.5 V(用于 24LC32A 设备) 低功率 CMOS 技术:有源电流 1mA(典型)、待机电流 1μA(典型) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5 ms 最大 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - MicrochipM24C 系列 32Kb (4 Kb x 8) 串行I2C总线 2.5 V SO-8N EE高可靠性系列EEPROM的I2C总线 High Reliability Series EEPROMs I2C BUS

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8

频率 0.4 MHz 1 MHz 0.4 MHz

供电电流 3 mA 5 mA 3 mA

针脚数 - 8 -

时钟频率 400 kHz 1 MHz 400 kHz

存取时间 900 ns 900 ns -

内存容量 4000 B 32000 B -

存取时间(Max) 900 ns 450 ns 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 1.8V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 2.5 V 2.5 V -

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

工作电压 2.5V ~ 5.5V - -

长度 3 mm 3 mm 3 mm

宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.4 mm

高度 1 mm 1 mm 1 mm

封装 TSSOP-8 TSSOP-8 TSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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