IDT6116LA150DGB和IDT6116SA150DB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA150DGB IDT6116SA150DB IDT6116LA150DB

描述 Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDIP24, 0.6INCH, CERAMIC, DIP-24CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Active Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 - 3A001.a.2.c 3A001

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