TL061ID和TL061IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL061ID TL061IDT TL061ACD

描述 低功率J-FET单路运算放大器 LOW POWER J-FET SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIERTL061 系列 36 V 1 MHz 低功耗 JFET 单通道 运算放大器 - SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  TL061ACD  运算放大器, 单路, 1 MHz, 1个放大器, 3.5 V/µs, 7V 至 36V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 200 µA 200 µA 200 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 680 mW 0.68 W -

共模抑制比 70 dB 80 dB 80 dB

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW -

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

电源电压(Max) 36 V - 36 V

电源电压(Min) 6 V - 7 V

电源电压(DC) - - 15.0 V

针脚数 - 8 8

输入补偿漂移 - - 10.0 µV/K

带宽 - 1 MHz 1 MHz

增益带宽 - 1 MHz 1 MHz

电源电压 - 6V ~ 36V 7V ~ 36V

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.91 mm

高度 1.65 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

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