对比图
型号 CY7C1518KV18-250BZXI GS8662T18BD-250I CY7C1518KV18-250BZI
描述 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72MCY7C1518AV18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-165
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
封装 FBGA-165 BGA-165 FBGA-165
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 165 - 165
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
时钟频率 250 MHz - 250 MHz
位数 18 - 18
存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns
电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V
封装 FBGA-165 BGA-165 FBGA-165
高度 0.89 mm - 0.89 mm
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tray Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)
ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a