对比图
描述 N沟道1500伏， 6 Ω ， 2.5 A ，的PowerMESH ™功率MOSFET N-channel 1500 V, 6 Ω, 2.5 A, PowerMESH™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STFW3N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-3-3
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 6 Ω
极性 N-CH N-Channel
耗散功率 30 W 63 W
阈值电压 - 4 V
漏源极电压(Vds) 1500 V 1500 V
上升时间 47 ns 47 ns
输入电容(Ciss) 939pF @25V(Vds) 939pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 63 W
下降时间 61 ns 61 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 63W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 2.5A -
长度 10.4 mm 15.7 mm
宽度 4.6 mm 5.7 mm
高度 16.4 mm 26.7 mm
封装 TO-220-3 TO-3-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16
ECCN代码 - EAR99