对比图
型号 FQD5N30TF FQD7N30TF FQD7N30TM
描述 N沟道 300V 4.4ATrans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 300 V 300 V 300 V
额定电流 4.30 A 5.50 A 5.50 A
漏源极电阻 900 mΩ 700 mΩ 700 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5 W
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
漏源击穿电压 300 V 300 V 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.40 A 5.50 A 5.50 A
输入电容(Ciss) 430pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2500 mW
通道数 - - 1
上升时间 - - 75 ns
下降时间 - - 35 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.1 mm
高度 - - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99