对比图
型号 PDTC114EK,135 PDTC114EK,115 BCW66GLT1G
描述 双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11MPAK NPN 50V 100mAON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 45 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 30 @5mA, 5V 30 @5mA, 5V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
频率 - - 100 MHz
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 800 mA
针脚数 - - 3
耗散功率 - - 330 mW
直流电流增益(hFE) - - 60
耗散功率(Max) - - 300 mW
长度 3.1 mm - -
宽度 1.7 mm - -
高度 1.2 mm - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
材质 - - Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99