对比图
描述 PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTORTO-39 PNP 60V 0.2A
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-205 TO-39
极性 - PNP
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 0.2A
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 360 mW 360 mW
最小电流放大倍数(hFE) 50 @10mA, 1V -
额定功率(Max) 360 mW -
封装 TO-205 TO-39
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bulk Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 -