FQD7N20LTF和FQU7N20L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD7N20LTF FQU7N20L

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RLOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 TO-252-3 -

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 5.50 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 750 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 200 V -

漏源击穿电压 200 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A -

上升时间 125 ns -

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W -

下降时间 65 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) -

长度 6.73 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.39 mm -

封装 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 -

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