IDD09SG60C和IDD09SG60CXTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDD09SG60C IDD09SG60CXTMA1 IDH09SG60C

描述 INFINEON  IDD09SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 9 A, 15 nC, TO-252Diode Schottky 600V 9A 3Pin(2+Tab) TO-252第三代的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 - 2

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-2

额定功率 115 W - 115 W

负载电流 9 A - 9 A

正向电压 2.1 V 2.1V @9A -

反向恢复时间 0 ns 0 ns -

正向电流 9 A - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 49 A - -

正向电压(Max) 2.1V @9A - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

工作结温(Max) 175 ℃ - -

长度 6.73 mm - 10.2 mm

宽度 6.22 mm - 4.5 mm

高度 2.41 mm - 9.45 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-2

工作温度 55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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