2SA1122和BCW66GLT1G

对比图

型号 2SA1122 BCW66GLT1G BCW61C

描述 2SA1122 PNP三极管 -55V -100mA/-0.1A 250~500 -500mV/-0.5V SOT-23/MPAK marking/标记 CD 低频放大器ON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFEt-Pnp Si- Gen Pur

数据手册 ---

制造商 HITACHI (日立) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管分立器件

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

频率 - 100 MHz -

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 800 mA -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 330 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V -

集电极最大允许电流 - 0.8A -

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -