对比图
型号 IXTA1R4N100P IXTY1R4N100P IXTP1R4N100P
描述 MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263Trans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin(2+Tab) DPAKTrans MOSFET N-CH 1kV 1.4A 3Pin(3+Tab) TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3
耗散功率 63W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
上升时间 35 ns 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
下降时间 28 ns 28 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc)
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free