对比图
型号 BD439 BD439G BD439S
描述 塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN TransistorTrans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 Bag
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3
频率 - 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 4.00 A 4.00 A -
针脚数 - 3 -
极性 NPN NPN -
耗散功率 - 36 W 36 W
增益频宽积 - 3 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 4A 4A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V 20 @10mA, 5V
额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W
直流电流增益(hFE) - 20 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 475 - -
长度 - 7.74 mm -
宽度 - 2.66 mm -
高度 - 11.04 mm -
封装 TO-126-3 TO-225-3 TO-126-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Box Bulk Bag
最小包装 500 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99 EAR99