70T3519S133DRI和70T651S10BFGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3519S133DRI 70T651S10BFGI 70T3519S133BFGI

描述 IC SRAM 9Mbit 133MHz 208QFP256K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sDual-Port SRAM, 256KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 BFQFP-208 CABGA-208 LFBGA-208

安装方式 Surface Mount - -

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

存取时间 - 10 ns -

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

长度 28.0 mm 15.0 mm 15.0 mm

宽度 28.0 mm 15 mm 15.0 mm

封装 BFQFP-208 CABGA-208 LFBGA-208

厚度 3.50 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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