JANTXV1N3890和MBR20200CT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N3890 MBR20200CT JANTX1N5806

描述 硅1瓦齐纳二极管 SILICON 1 WATT ZENER DIODESRectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,Diode Switching Diode 150V 2.5A 2Pin Case G-111

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) EIC Semtech Corporation

分类 功率二极管TVS二极管

基础参数对比

引脚数 2 3 2

封装 DO-4 TO-220 G-111

安装方式 - - Through Hole

正向电流(Max) 12 A 20 A 3.3 A

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电压 1.5 V - 0.875 V

反向恢复时间 200 ns - 25 ns

正向电流 12000 mA - 3300 mA

正向电压(Max) - - 875mV @1A

封装 DO-4 TO-220 G-111

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

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