MCP6052-E/SN和TSV622IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP6052-E/SN TSV622IDT TS1852ID

描述 MCP6051/6052/6054 运算放大器STMICROELECTRONICS  TSV622IDT  运算放大器, 双路, 420 kHz, 2个放大器, 0.19 V/µs, 1.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚1.8V输入/输出轨至轨低功耗运算放大器 1.8V INPUT/OUTPUT RAIL TO RAIL LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 1.80V (min) 5.50V (max) 6.00 V

输出电流 26 mA 74 mA 48mA @5V

供电电流 30 µA 29 µA 162 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

共模抑制比 91 dB 60 dB 55 dB

带宽 385 kHz 420 kHz 480 kHz

转换速率 150 mV/μs 190 mV/μs 250 mV/μs

增益频宽积 385 kHz 420 kHz 630 kHz

输入补偿电压 150 µV 4 mV 1 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 16 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 385 kHz 0.42 MHz 630 kHz

共模抑制比(Min) 72 dB 60 dB 65 dB

电源电压 1.8V ~ 6V 1.5V ~ 5.5V 1.8V ~ 6V

电源电压(Max) 6 V 5.5 V 6 V

电源电压(Min) - 1.5 V 1.8 V

工作电压 1.8V ~ 6V - -

静态电流 45 µA - -

输入补偿漂移 1.50 µV/K - -

宽度 3.9 mm 4 mm 4 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 1.25 mm - 1.65 mm

长度 4.9 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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