SN74V263-6PZA和SN74V263-7PZA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN74V263-6PZA SN74V263-7PZA SN74V263PZAEP

描述 8192 】 18 , 16384 】 18 , 32768 】 18 :65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES8192 】 18 , 16384 】 18 , 32768 】 18 :65536 】 18 3.3 V的CMOS先入先出MEMORIES 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIESFIFO(先进先出)存储器,Texas Instruments (WO)### FIFO(先进先出)存储器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 80 80 80

封装 LQFP-80 LQFP-80 LQFP-80

频率 166 MHz 133 MHz 133 MHz

电源电压(DC) 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

供电电流 35 mA - 35 mA

电路数 2 - 2

时钟频率 166MHz (max) 133MHz (max) 133 MHz

电压波节 3.30 V 3.30 V 3.30 V

存取时间 4.5 ns 5 ns 5 ns

输出电流驱动 -250 µA -250 µA -250 µA

存取时间(Max) 4.5 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -55 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 3.45 V - 3.45 V

电源电压(Min) 3.15 V - 3.15 V

内存容量 18000 B 18000 B -

长度 - - 14 mm

宽度 14 mm - 14 mm

高度 1.4 mm 1.45 mm 1.4 mm

封装 LQFP-80 LQFP-80 LQFP-80

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - 3A991.b.2.b

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