对比图
型号 IXFK180N25T IXFX180N25T
描述 IXFK 系列 单通道 N 沟道 250 Vds 8 mOhm 560 W 功率 MOSFET - TO-264N-Channel 250V 180A 12.9mΩ Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS247
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-264-3 TO-247-3
引脚数 - 3
通道数 1 1
极性 N-CH -
耗散功率 1390W (Tc) 1390 W
阈值电压 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) 180A -
输入电容(Ciss) 28000pF @25V(Vds) 28000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 1390W (Tc) 1390W (Tc)
上升时间 - 33 ns
下降时间 - 28 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
宽度 5.13 mm 5.21 mm
封装 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free