MXLP6KE51A和MXLP6KE51AE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MXLP6KE51A MXLP6KE51AE3 P6KE51-A

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor43.6V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 43.6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18-2 T-18 -

最大反向电压(Vrrm) 43.6V 43.6V -

脉冲峰值功率 600 W 600 W -

最小反向击穿电压 48.5 V 48.5 V -

封装 T-18-2 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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