IR2183S和IR2183SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2183S IR2183SPBF MIC4423ZN

描述 600V Half Bridge Driver IC with typical 1.9A source and 2.3A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.INFINEON  IR2183SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-83.5 Ohm 双 3 A峰值 低压侧 MOSFET 驱动器 采用PDIP-8封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8

电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) 4.50V (min)

上升/下降时间 40ns, 20ns 40ns, 20ns 28ns, 32ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 1.9 A 1.4.2.3 A -

产品系列 IR2183 - -

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 4.5V ~ 18V

额定功率 - 625 mW -

输出电压 - 10.20 V -

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 625 mW -

静态电流 - 1 mA -

上升时间 - 40 ns 35 ns

下降时间 - 20 ns 35 ns

下降时间(Max) - 35 ns 35 ns

上升时间(Max) - 60 ns 35 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW -

电源电压(Max) - 20 V 18 V

电源电压(Min) - 10 V 4.5 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm 3.81 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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