71016S12YG和IDT71016S12YG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71016S12YG IDT71016S12YG 71016S12YG8

描述 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAMCMOS静态RAM 1兆欧( 64K ×16位) CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44Pin SOJ T/R

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 44 - 44

封装 SOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

存取时间 12 ns - 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 5 V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

长度 28.6 mm - 28.6 mm

宽度 10.2 mm - 10.2 mm

高度 2.9 mm - -

封装 SOJ-44 BSOJ-44 SOJ-44

厚度 2.90 mm - 2.90 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube, Rail Tube, Rail Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

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