IS42S32800B-6TL和IS42S32800D-6TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800B-6TL IS42S32800D-6TL IS42S32800B-6TLI

描述 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86Pin TSOP II (400 Mil) RoHSDRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II动态随机存取存储器 256M 8Mx32 166Mhz

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

供电电流 - 180 mA -

位数 32 32 32

存取时间(Max) 5.5 ns 6.5ns, 5.4ns 5.5 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 6.00 ns - 5.5 ns

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 166MHz (max) - -

内存容量 256000000 B - -

高度 1.05 mm 1.05 mm 1.05 mm

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

长度 - - 22.42 mm

宽度 - - 10.16 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free 无铅

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