UF28100M和UF28100V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UF28100M UF28100V MRF175GU

描述 射频MOSFET功率晶体管, lOOW , 28V 100 - 500兆赫 RF MOSFET Power Transistor, lOOW, 28V 100 - 500 MHz射频MOSFET功率晶体管, 15W , 28V 100-500MHz RF MOSFET Power Transistor, 15W, 28V 100-500MHzN沟道MOS宽带射频功率FET N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com M/A-Com

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Surface Mount -

引脚数 5 8 -

封装 - 744A-01 375-04

耗散功率 - 250000 mW -

阈值电压 - 6 V -

输出功率 - 100 W 200 W

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW -

频率 - - 225 MHz

额定电流 - - 26 A

增益 - - 14 dB

测试电流 - - 100 mA

额定电压 - - 65 V

封装 - 744A-01 375-04

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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