对比图
型号 IKB01N120H2 SKB02N120 HGT1S1N120CNDS
描述 高速2 -技术具有柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode6.2A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -40 ℃ - -
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -
反向恢复时间 - 50 ns -
额定功率(Max) - 62 W -
封装 TO-263-3 TO-263-3 -
长度 - 10.25 mm -
宽度 - 9.9 mm -
高度 - 4.4 mm -
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
ECCN代码 - EAR99 -