对比图
型号 2SA1962-O(Q) FJA4213OTU 2STA1962
描述 TO-3PN PNP 230V 15APower PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。STMICROELECTRONICS 2STA1962 单晶体管 双极, PNP, 230 V, 30 MHz, 130 W, 8 A, 80 hFE
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3
频率 30 MHz 30 MHz 30 MHz
额定功率 - - 150 W
针脚数 - - 3
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 130 W 130 W 130 W
击穿电压(集电极-发射极) 230 V 250 V 230 V
集电极最大允许电流 15A 17A 15A
最小电流放大倍数(hFE) 80 @1A, 5V 55 80 @1A, 5V
额定功率(Max) 130 W 130 W 150 W
直流电流增益(hFE) - - 80
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130 W 130 W 130000 mW
额定电压(DC) -230 V -230 V -
额定电流 -15.0 A -15.0 A -
增益频宽积 - 30 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) 160 160 -
长度 - 15.6 mm 15.8 mm
宽度 4.8 mm 4.8 mm 5 mm
高度 - 18.9 mm 18.7 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-3-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -