MCH6445-TL-E和MCH6445-TL-W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCH6445-TL-E MCH6445-TL-W MCH6445

描述 4A,60V,N沟道MOSFETN沟道 60V 4AN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 -

漏源极电阻 78 mΩ - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 1.5 W 1.5 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

漏源击穿电压 60 V - -

连续漏极电流(Ids) 4A 4A -

上升时间 9.8 ns 9.8 ns -

输入电容(Ciss) 505pF @20V(Vds) 505pF @20V(Vds) -

下降时间 24 ns 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1500 mW 1.5W (Ta) -

封装 SOT-363-6 SOT-363-6 -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 - NLR -

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