对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4685 晶体管, MOSFET, P沟道, 32 A, -40 V, 0.023 ohm, -10 V, -1.6 VPowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 P-Channel P-CH
耗散功率 69 W 83 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 8.40 mA 32A
上升时间 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 2380pF @20V(Vds) 2380pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 83 W
下降时间 14 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 69W (Tc) 83W (Tc)
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.023 Ω -
阈值电压 1.6 V -
输入电容 2.38 nF -
额定电压(DC) -40.0 V -
额定电流 -8.40 A -
栅电荷 27.0 nC -
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -